炭化ケイ素半導体デバイス市場は 2025年の21億6,700万米ドルから2035年には34億3,100万米ドルに達し、2026年から2035年の予測期間に年平均成長率（CAGR）4.7％で成長すると見込まれています。SiC（炭化ケイ素）は、従来のシリコン半導体と比べて高電圧、高温、高周波環境への適応力に優れ、電力変換時の損失低減を図れることから、電動車、産業機器、再生可能エネルギー設備、充電インフラなど電力効率が競争力を左右する領域で存在感を高めています。 今後の焦点は「SiCを採用するか」だけではなく、性能、供給安定性、製造コスト、量産能力まで含め、どのようなSiC戦略を構築するかへ移りつつあります。
炭化ケイ素（SiC）半導体デバイスは、従来のシリコン系半導体と比較して、優れた熱伝導率、高い耐圧、低い電力損失、高速なスイッチング速度、および高温と高周波条件下での効率的な動作能力など、いくつかの利点を備えています。こうした性能上の利点により、SiCデバイスは次世代の電力変換およびエネルギー管理アプリケーションにおいて、ますます不可欠なものとなっています。
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